這得從英博INPOWER電容器的結構上說起。簡單的電容器是由兩端的極板和中間的絕緣電介質（包括空氣）構成的。通電后，極板帶電，形成電壓（電勢差），但是由于中間的絕緣物質，所以整個英博INPOWER電容器是不導電的。不過，這樣的情況是在沒有超過電容器的臨界電壓（擊穿電壓）的前提條件下的。我們知道，任何物質都是相對絕緣的，當物質兩端的電壓加大到一定程度后，物質都是可以導電的，我們稱這個電壓為擊穿電壓。電容也不例外，電容被擊穿后，就不是絕緣體了。不過在中學階段，這樣的電壓在電路中是見不到的，所以都是在擊穿電壓以下工作的，可以被當做絕緣體看。
高溫接近開關/IGN15-30TM-2D-T DC24V 2線制 常開點 檢測距離20mm
西門子CPU模塊/CPU 414-3 PN/DP 414-3EM06-0AB0
接近開關 1GN15-30TM-3P(M30帶2米線） 電源DC24V PNP型
編碼器 58-6AAL6-R-2500 電源DC5V
接近開關 1GB4-12TM-3P-V1(M12帶插座） 電源DC24V PNP型
西門子CPU模塊/CPU 414-2 414-2XG04-0AB0
西門子CPU模塊/CPU 414-2 414-2XK05-0AB0
西門子通訊模塊/CP443-1 443-1EX20-0XE0
西門子S7-200通訊線/PC-USB PPI-RS485
西門子西門子合閘線圈 /220V/269Ω/型號：LCL0450019 KAI949 D8
IM155-6PN ST
AI 4XI2-/4-WIRE ST
BU15-P16+A0+2D
巴魯夫BES M12MI-PSC20B- S04G
巴魯夫BES M18MF-USC70B- S04K
巴魯夫BES M18MI-PSC80B- S04G
霍尼韋爾BZC-2RW82-A2
巴魯夫BESM12MG-PSC40A-S04G-W12
S+BOER8G-1N( volt 9-36VDC)
施耐德NSX100HTM80D 80/640
施耐德NSX100HTM63D 63/500
施耐德NSX100HTM50D 50/500
施耐德NSX100HTM40D 40/400
施耐德NSX100HTM32D 32/400
西門子3TF5244-0XM0
西門子3VA1220-4EF32-0AA0
西門子3UA62-40-3L
西門子6SE6430-2UD37-5FB0
基恩士HR-B1
西門子6GK1571-0BA00-0AA0
歐姆龍E6B2-CWZ6C 360P/R
接近傳感器,BES 516-324-E4-C-05,BALLUFF
MURR26090
MURR866558
E+H物位儀表 雷達物位計 FMR240-A5V1GGJAA2F 0～30000mm 精度等級:0.25級 3套
